測(cè)井225度高溫存儲(chǔ)器
北京啟爾特石油科技新到一批145度、150度、175度、210度、225度高溫存儲(chǔ)器,美國(guó)原廠進(jìn)口,耐高溫,進(jìn)口存儲(chǔ)器,性能穩(wěn)定,各種容量都有,銷售200度進(jìn)口存儲(chǔ)器型號(hào),適用于隨鉆儀器及其他石油測(cè)井勘探領(lǐng)域,感興趣的客戶,歡迎來電咨詢!
DRAM的特點(diǎn):
(1) 利用電容存儲(chǔ)電荷的原理來存儲(chǔ)信息的。由于電容會(huì)逐漸放電,所以,必須對(duì)DRAM中的電容不斷地補(bǔ)充電荷,這一過程稱為刷新。
(2) 典型的刷新周期為2ms,一般用專門的DRAM控制器控制刷新,其刷新過程稱為刷新周期。
(3) 所用MOS管較SRAM少,芯片位密度較高,如32Kb×1,16Mb×1。
(4) 功耗較小。
225度原裝存儲(chǔ)器參數(shù)
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折疊2.動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元●存貯原理:利用MOS管柵極電容可以存儲(chǔ)電荷的原理,需刷新(早期:三管基本單元;現(xiàn)在:單管基本單元)
●刷新(再生):為及時(shí)補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲(chǔ)的信息丟失,必須定時(shí)給柵極電容補(bǔ)充電荷的操作
●刷新時(shí)間:定期進(jìn)行刷新操作的時(shí)間。該時(shí)間必須小于柵極電容自然保持信息的時(shí)間(小于2ms)。
●優(yōu)點(diǎn): 集成度遠(yuǎn)高于SRAM、價(jià)格也低
●缺點(diǎn):因需刷新而使外圍電路復(fù)雜;刷新也使存取速度較SRAM慢,所以在計(jì)算機(jī)中,DRAM常用于作主存儲(chǔ)器。
盡管如此,由于DRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,所用元件少,集成度高,功耗低,所以目前已成為大容量RAM的主流的產(chǎn)品。
150度高溫精密存儲(chǔ)器銷售
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可靠性
采用flash介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問題是可靠性。對(duì)于需要擴(kuò)展MTBF的系統(tǒng)來說,F(xiàn)lash是非常合適的存儲(chǔ)方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來比較NOR和NAND的可靠性。
耐用性
在NAND閃存中每個(gè)塊的擦寫次數(shù)是一百萬次,而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì),典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍,每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
北京啟爾特(圖)-銷售150度進(jìn)口存儲(chǔ)器型號(hào)-進(jìn)口存儲(chǔ)器由北京啟爾特石油科技有限公司提供。北京啟爾特石油科技有限公司堅(jiān)持“以人為本”的企業(yè)理念,擁有一支高素質(zhì)的員工隊(duì)伍,力求提供更好的產(chǎn)品和服務(wù)回饋社會(huì),并歡迎廣大新老客戶光臨惠顧,真誠(chéng)合作、共創(chuàng)美好未來。北京啟爾特——您可信賴的朋友,公司地址:北京市昌平區(qū)城南街道振興路35號(hào)院1號(hào)樓3層324,聯(lián)系人:齊奎。同時(shí)本公司還是從事石油測(cè)井150度高溫電阻,測(cè)井勘探175度高溫電阻,石油領(lǐng)域200度高溫電阻的廠家,歡迎來電咨詢。
溫馨提示:以上是關(guān)于北京啟爾特(圖)-銷售150度進(jìn)口存儲(chǔ)器型號(hào)-進(jìn)口存儲(chǔ)器的詳細(xì)介紹,產(chǎn)品由北京啟爾特石油科技有限公司為您提供,如果您對(duì)北京啟爾特石油科技有限公司產(chǎn)品信息感興趣可以聯(lián)系供應(yīng)商或者讓供應(yīng)商主動(dòng)聯(lián)系您 ,您也可以查看更多與集成電路相關(guān)的產(chǎn)品!
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