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合肥啟爾特石油科技有限公司
主營：175度晶振,150度單片機,150度存儲器,175度電容
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RAM隨機存取存儲器（Random Access Memory）
CPU根據RAM的地址將數據隨機的寫入或讀出。電源切斷后，所存數據全部丟失。按照集成電路內部結構不同，RAM又分為兩類：
SRAM靜態(tài)RAM（Static RAM）
靜態(tài)RAM速度非常快，只要電源存在內容就不會消失。但他的基本存儲電路是由6個MOS管組成1位。集成度較低，175度動態(tài)存儲器批發(fā)，功耗也較大。一般高速緩沖存儲器（Cache memory）用它組成。
測井175度存儲器合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ，適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存儲器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器，容量較小，如有需要的客戶，歡迎來電。
FLASH存儲器的基本單元電路，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是一層柵介質很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用一級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由于利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯在一起，這樣，快擦存儲器不能按字節(jié)擦除，動態(tài)存儲器，而是全片或分塊擦除。
合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ，適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLash存儲器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器，容量較小，如有需要的客戶，歡迎來電。
按其制造工藝可分為
（1）雙極型存儲器特點：運算速度比磁芯存儲器速度約快了 3個數量級，而且與雙極型邏輯電路型式相同，使接口大為簡化。
（2）MOS晶體管存儲器特點：集成度高、容量大、體積小、存取速度快、價格便宜、功耗低、維護簡單。
210度高溫動態(tài)存儲器批發(fā)-合肥啟爾特-動態(tài)存儲器由合肥啟爾特石油科技有限公司提供。合肥啟爾特石油科技有限公司在電容器這一領域傾注了諸多的熱忱和熱情，合肥啟爾特一直以客戶為中心、為客戶創(chuàng)造價值的理念、以品質、服務來贏得市場，衷心希望能與社會各界合作，共創(chuàng)成功，共創(chuàng)輝煌。相關業(yè)務歡迎垂詢，聯系人：齊奎。溫馨提示：以上是關于210度高溫動態(tài)存儲器批發(fā)-合肥啟爾特-動態(tài)存儲器的詳細介紹，產品由合肥啟爾特石油科技有限公司為您提供，如果您對合肥啟爾特石油科技有限公司產品信息感興趣可以聯系供應商或者讓供應商主動聯系您 ，您也可以查看更多與電容器相關的產品！
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第2年
