綁定的適用范圍
技術(shù)上來說表面平整可進行金屬化處理的靶材都可以用我司銦焊綁定技術(shù)綁定銅背靶來提高濺射過程的散熱性、提高靶材利用率。
建議綁定的靶材:
ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結(jié)靶材;
錫、銦等軟金屬靶;
靶材太薄、靶材太貴的情況等。
但下列情況綁定有弊端:
1.熔點低的靶材,像銦、硒等,金屬化的時候可能會變軟變形;
2.貴金屬靶材,金銀泥處理車間設備,一是實際重量易出現(xiàn)分歧,二是金屬化以及解綁的時候都會有浪費料,建議墊一片銅片。
隨著黃金資源的開采緊張,民用、科技、、航天等用黃金量的增加,促使黃金價格節(jié)節(jié)上漲。電子廢料與黃金等成品之間的差價是比較固定的,金銀泥處理車間設備加工,而金銀做為,不論在任何時候總是增值的,因此銷售市場不存在問題。電子垃圾成為黃金新礦源,取之不絕,用之不盡。真正實現(xiàn)了環(huán)保的處理、循環(huán)再生利用??梢姡娮永膯栴}并不是不能解決,只要能讓電子垃圾“從科技中來,到科技中去”,就可以變廢為寶,產(chǎn)生良好的經(jīng)濟和社會效益。
在所有應用產(chǎn)業(yè)中,金銀泥處理車間設備廠家,半導體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出來.而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒,這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外,薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大,過99.995%(4N5)純度的銅靶,或許能夠滿足半導體廠商0.35pm工藝的需求,但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求。
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