PLC在中頻透熱爐設(shè)備中的應(yīng)用
可編程邏輯控制器,一種數(shù)字運(yùn)算操作的電子系統(tǒng),為在工業(yè)環(huán)境應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。它采用一類可編程的存儲(chǔ)器,用于其內(nèi)部存儲(chǔ)程序,執(zhí)行邏輯運(yùn)算,順序控制,定時(shí),計(jì)數(shù)與算術(shù)操作等面向用戶的指令,并通過數(shù)字或模擬式輸入/輸出控制各種類型的機(jī)械或過程。是工業(yè)控制的部分。
傳統(tǒng)的熱處理行業(yè)有著環(huán)境惡劣,勞動(dòng)強(qiáng)度大,工藝不易控制,效率低等缺點(diǎn)。采用感應(yīng)加熱方式后,環(huán)境,工藝控制方面有了較大改善。為了進(jìn)一步降低勞動(dòng)強(qiáng)度,提,洛陽(yáng)紅騰電氣有限公司,針對(duì)中頻透熱爐專門設(shè)計(jì)了自動(dòng)上料系統(tǒng),同時(shí)配合PLC可編程控制器,對(duì)各節(jié)點(diǎn)進(jìn)行控制,從而使得鍛造、淬火工藝得到有效控制,實(shí)現(xiàn)高度自動(dòng)化控制。該設(shè)備具有如下特點(diǎn):
1、進(jìn)出料部分為全自動(dòng),并搭配PLC控制,機(jī)器人自動(dòng)操作上下料,可以完成產(chǎn)品的重量殘次自動(dòng)分檢,實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)無人值守操作;
2、 一體化的設(shè)計(jì)減少安裝時(shí)間,費(fèi)用低廉;
3、 進(jìn)出料系統(tǒng)和透熱爐體單元結(jié)合在一起,占地面積小。
中頻電爐的幾種冷卻方法
生產(chǎn)實(shí)踐中應(yīng)用廣泛的淬火分類是以冷卻方式的不同劃分的。主要有單液淬火、雙液淬火、分級(jí)淬火和等溫淬火等。
單液淬火是將奧氏體化工件浸入某一種淬火介質(zhì)種,一直冷卻到室溫的淬火操作方法。單液淬火介質(zhì)有水、鹽水、堿水、油及專門配制的淬火劑等。一般情況下碳素鋼淬火,合金鋼淬油。 單液淬火操作簡(jiǎn)單,有利于實(shí)現(xiàn)機(jī)械化和自動(dòng)化。其缺點(diǎn)是冷速受介質(zhì)冷卻特性的限制而影響淬火質(zhì)量。單液淬火對(duì)碳素鋼而言只適用于形狀較簡(jiǎn)單的工件。
雙液淬火是將奧氏體化工件先浸入一種冷卻能力強(qiáng)的介質(zhì),在鋼件還未達(dá)到該淬火介質(zhì)溫度之間即取出,馬上浸入另一種冷卻能力弱的介質(zhì)中冷卻,如先水后油、先水后空氣等。雙液淬火減少變形和開裂傾向,操作不好掌握,在應(yīng)用方面有一定的局限性。
IGBT中頻透熱爐維修方法主講
1、燒IGBT中頻透熱爐逆變KK硅的原因及維修措施:
主要測(cè)試點(diǎn):大臂波,脈變?cè)边叢ǎ蓄l輸出波,反饋合成波。
1.1原因:以數(shù)設(shè)置不當(dāng)。
逆變角調(diào)得太大,di/dt沖擊大,此現(xiàn)象一般了現(xiàn)在設(shè)備運(yùn)行一段時(shí)間,爐料已發(fā)紅或快出鋼水時(shí)刻。發(fā)果逆變角很大(如接近900C也可能一開始就燒KK硅。)措施:a角調(diào)在30 0C—40 0C之間,Z大不得超過42 0C。注:換向點(diǎn)不能出一在輸出波形的頂點(diǎn)或左邊,否則一開機(jī)就燒硅。
1.2原因:橋臂電感太小或飲和(相對(duì)磁環(huán)而言),吸收太淺,軸類中頻透熱爐優(yōu)點(diǎn),換同毛刺太深,使硅元件因耐壓不夠或di/dt太大而燒硅,此燒硅現(xiàn)象一般發(fā)生在鋼水快出爐的時(shí)候或整爐爐料已熔化后某一時(shí)刻,或功率較大的情況下。措施:適當(dāng)增大橋臂電感的電感量,如果原來為磁環(huán),則將其換成銅管繞制的空心電感,加強(qiáng)吸收,使反峰毛刺控制在3/2基波幅值內(nèi)。
1.3原因:脈變內(nèi)阻太大,產(chǎn)生干擾。
此現(xiàn)象一般表現(xiàn)為運(yùn)行中隨機(jī)燒硅。如果硅元件在運(yùn)行過程中被干擾,其控制極脈沖波形中有隨機(jī)閃電狀干擾,干擾點(diǎn)很亮,幅值可達(dá)到2/3脈沖幅底(有時(shí)可能與正常脈沖幅值相當(dāng),且較難觀察到),大臂波中也同步出現(xiàn)某個(gè)波抖動(dòng),或瞬間出現(xiàn)短粗橫線,但脈變一次是側(cè)的波形較正常措施:先用低內(nèi)阻脈沖變壓器,在輸出0.047-O.luf電容。
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