使用溫補振蕩器的注意事項
溫補晶體振蕩器,包括基板,所述基板的上側(cè)設(shè)置有外殼,所述外殼的上側(cè)設(shè)置有封裝蓋,所述外殼的內(nèi)側(cè)開設(shè)有芯片安裝腔,所述芯片安裝腔的內(nèi)側(cè)設(shè)置有振蕩電路芯片,所述芯片安裝腔的上側(cè)開設(shè)有振蕩安裝腔,所述振蕩安裝腔的內(nèi)側(cè)設(shè)置有石英振蕩片,所述外殼的外表面設(shè)置有散熱片;通過設(shè)計在振蕩器外殼上的散熱片,在使用時可以通過散熱片加快振蕩器產(chǎn)生的熱量,減少熱量對振蕩器的影響,且在運輸時振蕩器可以通過振蕩器外殼兩端交錯設(shè)置的散熱片相互卡合,使振蕩器碼放更加穩(wěn)定,防止因為晃動導(dǎo)致振蕩器撞擊出現(xiàn)損壞.
晶體振蕩器頻率控制方法
振蕩器可通過直接牽引頻率或使用高分辨率鎖相環(huán)調(diào)整頻率來實現(xiàn)頻率控制。直接牽引頻率的 VCXO用調(diào)整變?nèi)荻O管電壓來改變諧振電路電容,而直接牽引頻率的DCXO通過可編程開關(guān)切換不同的諧振電容。使用石英晶體諧振器的VCXO直接牽引頻 率調(diào)整可以保持低相位噪聲,但牽引范圍被限制在約±200ppm。當(dāng)系統(tǒng)應(yīng)用需要更寬的頻率牽引范圍和與晶體振蕩器相近的低噪聲特性時,用戶更傾向于選擇 基于鎖相環(huán)的MEMS控制振蕩器架構(gòu),因為它們可以提供高達±1600ppm的牽引范圍。
溫補振蕩器工作的原理
首先了解晶體的數(shù)學(xué)模型,用負阻的方法分析了石英晶體振蕩器的起振原理以及補償方法,設(shè)計了數(shù)字電容陣列可調(diào)頻率晶體振蕩電路,溫補振蕩器報價,實現(xiàn)了頻率簡單可控.帶隙測溫電路采用了LDO供電和cascode結(jié)構(gòu),溫補振蕩器生產(chǎn)廠家,實現(xiàn)了輸出溫度電壓具有高抑制比和準(zhǔn)確性.模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC采用了12位逐次逼近型電路,溫補振蕩器,結(jié)構(gòu)簡單精度適中.LDO為測溫電路提供了穩(wěn)定的工作電源保證了輸出信號的穩(wěn)定,溫補振蕩器價格,通過間斷性地工作實現(xiàn)整個系統(tǒng)的低功耗. 隨著CMOS技術(shù)的發(fā)展,上述的各種電路都可以集成在一塊芯片里面.本文基于集成電路設(shè)計工具Cadence的軟件環(huán)境,和SMIC的0.35um工藝,設(shè)計了以上電路,并得到了結(jié)果,驗證了本設(shè)計的可行性.
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