采用連續(xù)式硫化法的情況下,不會有因切去加壓成形產(chǎn)生的毛邊或一般的擠壓處理和在硫化處理槽內(nèi)進(jìn)行處理時(shí)橡膠管兩端翹起的部分而導(dǎo)致的橡膠浪費(fèi),金管報(bào)價(jià),另外能夠縮短制造時(shí)間和減少人工費(fèi)用,因此能夠降低輥筒的制造成本,從這些方面考慮,此方法優(yōu)于間歇式硫化法。
此外,硫化處理后,由于對每個(gè)輥筒都進(jìn)行了剪切,所以基本上不會出現(xiàn)上述差別,這樣就可緩解長度方向的電阻值的不均勻。
陶瓷靶材
ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶,、二氧化鉿靶,哪家有金管,二硼化鈦靶,二硼化鋯靶,金管,三氧化鎢靶,三氧化二鋁靶五氧化二鉭,五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶,氮化硅靶,氮化硼靶,氮化鈦靶,碳化硅靶,哪里有金管,鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。
各種類型的濺射薄膜材料在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來,濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展,極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如,在半導(dǎo)體集成電路制造過程中,以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁膜布線。
在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個(gè)正交磁場和電場,在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣),磁鐵在靶材料表面形成250~350高斯的磁場,同高壓電場組成正交電磁場。
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