在所有應用產業(yè)中,半導體產業(yè)對靶材濺射薄膜的品質要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出來.而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒,這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結構。靶材的結晶粒子直徑和均勻性已被認為是影響薄膜沉積率的關鍵因素。另外,薄膜的純度與靶材的純度關系極大,過99.995%(4N5)純度的銅靶,貴金屬靶材,或許能夠滿足半導體廠商0.35pm工藝的需求,但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求。







根據電解質的種類可分為氯化物熔鹽體系和氟化物-氧化物熔鹽體系電解法,多用于制取以鑭為主的混合稀土金屬以及鑭、鐠、釹等單一稀土金屬。熔鹽電解法為連續(xù)性生產過程,產量較大,設備簡單,成本較低,但電解槽需用耐高溫氯化物或氟化物腐蝕的結構材料制造。
還原制得含稀土99%的稀土金屬經真空精煉(包括真空蒸餾或升華)、電傳輸、區(qū)域熔煉、熔鹽電解精煉等方法處理除去非稀土雜質后,貴金屬靶材生產加工,可獲得純度超過99.9%的稀土金屬產品。

在傳統(tǒng)產業(yè)的應用領域中,對于的需求也隨著這些產業(yè)的興衰而出現此起彼落此消彼長,貴金屬靶材報價,甚至出現行業(yè)的淘汰而與無緣,例如照相用膠卷??萍嫉倪M步和發(fā)展,貴金屬靶材技術,使傳統(tǒng)產業(yè)發(fā)生劇烈的變遷,也使的供求狀況出現急劇的變化,這種變化也是導致了的價格出現劇烈波動的因素之一。然而在傳統(tǒng)產業(yè)不斷的和轉型中,依然成為選擇的關鍵性材料,用更和更科學的工藝和手段,把的性能發(fā)揮得更淋漓盡致。


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