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沈陽東創(chuàng)貴金屬材料有限公司
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區(qū)域提純后的金屬鍺，其錠底表面上的電阻率為30～50歐姆 ?厘米時，純度相當于8～9，可以滿足電子器件的要求。但對于雜質(zhì)濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測器級超純鍺，則尚須經(jīng)過特殊處理。
由于鍺中有少數(shù)雜質(zhì)如磷、鋁、硅、硼的分配系數(shù)接近于1或大于1，要加強化學提純方法除去這些雜質(zhì)，然后再進行區(qū)熔提純。電子級純的區(qū)熔鍺錠用霍爾效應測量雜質(zhì)（載流子）濃度，一般可達10～10原子/厘米。經(jīng)切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，鞍山銀圓柱靶，一直達到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當于13）所作的探測器，其分辨率已接近于理論數(shù)值。
鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，哪里有銀圓柱靶，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應。
各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。
濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高，一般要求如，尺寸、平整度、純度、各項雜質(zhì)含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制；較高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物（氧化物）含量與尺寸、導磁率、超高密度與超細晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的物相鍍膜方式，就是用電子系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬，合金，陶瓷化合物等。
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